王迅

王迅

中文名:王迅
英文名:Wang Xun
国籍:中国
出生地区:上海
出生日期:民国二十三年(1934年)4月23日
毕业院校:复旦大学
职业:教育科研工作者
详细介绍:王迅,籍贯江苏无锡,民国二十三年(1934年)出生于上海,表面物理、半导体物理学家,中国科学院院士,......>>>查看王迅详细资料

王迅主要成就

出版日期
名称
作者
出版社
1981.07
《半导体表面钝化技术及其应用》
管绍茂,王迅编著
北京:国防工业出版社
2003
《物理学家谈物理》
王迅主编
上海:少年儿童出版社
获奖成果名称
主要完成人
奖励等级
获奖时间
硅基低维结构材料的研制、物性研究及新型器件制备
第三完成人
上海市科学技术进步奖一等奖
2001年
硅基低维结构材料的研制、物性研究及新型器件制备
第三完成人
国家自然科学奖一等奖
2002年
用计算凝聚态物理方法研究多种新型材料的结构,电子态和物理特性
第四完成人
上海市科技进步奖二等奖
2004年
半导体表面电子态理论与实验

国家教委科技进步二等奖
InP极性表面的原子结构和电子态

国家教委科技进步二等奖
III—V族化合物半导体的极性表面和界面研究

国家教委科技进步二等奖
多孔硅的发光特性和机理研究

国家教委科技进步二等奖
硅分子束外延生长异质结构及其特性

国家教委科技进步三等奖
高完整性GeSi/Si应变层超晶格的生长和表征

国家教委科技进步三等奖
硅的表面结构与表面吸附研究

国家教委科技进步三等奖
时间
荣誉/表彰
1997年
中国物理学会第五届叶企孙物理奖
1998年
梁何利基金科学技术进步奖
1999年
中国科学院院士
科研综述王迅长期从事半导体物理学和表面物理学的教学、科研与学科建设工作。在半导体表面结构和电子态研究,多孔硅的发光特性和机理研究,硅基低维量子体系的材料制备、物理特性研究和新型器件研制等方面,作出多项创新成果。学术论著据2020年5月上海复旦大学先进材料实验室网站显示,王迅在中国国内外学术刊物上发表论文300余篇,其中在国际SCI刊物上发表的有170余篇,论文被国际刊物他引1200余次。科研成果奖励据2020年5月应用表面物理国家重点实验室网站显示,王迅先后获得国家自然科学二等奖1项,上海市科技进步一等奖2项与三等奖1项,国家教委科技进步二等奖4项与三等奖3项,1996年光华科技基金二等奖。学术交流据2020年5月上海复旦大学先进材料实验室网站显示,王迅在国际学术会议上作邀请报告21次,曾十余次担任过国际半导体物理会议、国际硅分子束外延会议、国际表面结构会议、国际固体薄膜与表面会议等等国际学术会议的程序委员会、顾问委员会、组组织委员会委员或分组会主席。指导学生据2020年5月复旦大学物理系官网显示,王迅培养了30名博士、20名硕士。教学改革王迅一直把注意力放在教学改革的探索上,对教科书删繁就简,提升教学效果。时常针对学生的学习情况和思想动态,结合时政社会事件,借题发挥,在与学生交流他的看法的过程中,潜移默化地提出自己的期望和要求。还组织培训系里有条件的教师用英语给研究生教授专业课程,组织教师编写英文版教材。主讲课程王迅主讲过《热力学与统计物理》《固体物理》《半导体物理》《晶体管原理》《MOS集成电路》《表面物理》等多门课程,期间也给复旦大学的本科生当“代课老师”,教授《大学物理》等多门基础课程,每个学期为不同系科的本科生教授20到30节课。

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